Fotodioda 32μm 10G InGaAs TO46

 

 

• Wysoka czułość (większa lub równa 0,7 A/W): Zapewnia wydajną konwersję sygnału, zmniejszając zużycie energii w przypadku-produkcji modułów optycznych na dużą skalę-idealne rozwiązanie dla hurtowych nabywców fotodiody TO46 InGaAs skupiających się na efektywności energetycznej.

• Niski prąd ciemny (mniejszy lub równy 1nA przy 5V): Minimalizuje szumy sygnału, krytyczne dla-precyzyjnych zastosowań telekomunikacyjnych i wykrywających. Ta zaleta zmniejsza współczynnik awaryjności w przypadku wdrożeń masowych.

• Niska pojemność (mniejsza lub równa 0,25 pF): Umożliwia stabilną wydajność przepustowości 10G, spełniając wymagania dotyczące szybkości modułów 10G SFP+ i sieci centrów danych.

• Spawanie laserowe i pakiet TO-CAN: Zwiększa stabilność mechaniczną i odporność termiczną (temperatura robocza -40 ~ 85 stopni), zapewniając długą żywotność (większą lub równą 50 000 godzin) i zmniejszając koszty wymiany w przypadku zakupów hurtowych klientów fotodiod InGaAs.

• Niska strata powrotna (większa lub równa 35 dB): Redukuje odbicia sygnału, poprawiając integralność systemu-niezbędną w projektach infrastruktury telekomunikacyjnej.

 

 

• Sieci telekomunikacyjne: Kompatybilny z systemami SDH/SONET, obsługujący-odbiór sygnału z dużą szybkością w-długodystansowych łączach światłowodowych-idealny do zastosowań o dużej szybkości niezawodność 32μm Fotodioda InGaAs do zastosowań telekomunikacyjnych.

• Moduły optyczne 10G SFP+: Używany w transiwerach centrów danych do konwersji sygnałów optycznych na sygnały elektryczne o niskiej pojemności (mniejszej lub równej 0,25 pF), zapewniającej minimalną utratę sygnału.

• Wykrywanie światłowodowe: Idealny do przemysłowych systemów czujnikowych (np. dalmierz laserowy, monitorowanie temperatury) dzięki szerokiej długości fali roboczej (1100-1650 nm) i niskiemu prądowi ciemnemu.

• Automatyka Przemysłowa: Zintegrowany ze sprzętem komunikacji optycznej do automatyzacji fabryk, gdzie długa żywotność (poprzez spawanie laserowe) zmniejsza koszty konserwacji dla hurtowych nabywców fotodiody InGaAs TO46.

 

Sprzedaż jednostek	Pojedynczy przedmiot
Rozmiar pojedynczego opakowania	20X15X5 cm (Opakowanie elastyczne, odpowiednie do transportu międzynarodowego)
Pojedyncza masa brutto	0,250 KG

Ilość (szt.)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Czas realizacji (dni)	14	20	30	Do negocjacji

Oferujemy niestandardowe rozwiązania ODM fotodiody InGaAs, aby spełnić Twoje specyficzne wymagania:

• Konfigurowalne parametry: Średnica obszaru światłoczułego (32 μm/50 μm/75 μm), rodzaj opakowania (TO46/TO56), długość przewodu i konstrukcja soczewki.

• Cykl rozwoju: 7-15 dni (najpierw próbka; produkcja masowa rozpoczyna się po zatwierdzeniu próbki).

 

Parametr	Symbol	Min.	Typ	Maks.	Jednostka
Moc nasycenia	Ps	3	-	-	dBm
Prąd do przodu	Jeśli	-	-	10	mama
Napięcie odwracające	Wr	-	5	15	V
Temperatura obudowy operacyjnej	Szczyt	-40	-	85	stopień
Temperatura przechowywania	Tstg	-40	-	85	stopień
Lutowanie ołowiem (temperatura/czas)	-	-	260/10	-	stopień /sek

 

Parametr	Symbol	Min.	Typ	Maks.	Jednostka	Stan testowy
Robocza długość fali	λ	1100	-	1650	nm
Responsywność	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V, λ=1310nm
Ciemny Prąd	Id	-	0.2	1	nA	Vr=5V
Pojemność	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz, obudowa otwarta
Przepustowość łącza	Bw	10	-	-	GHz	Obciążenie Vr=5V,50 przy długości przewodu=6mm, obudowa otwarta
Strata sygnału optycznego	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

Popularne Tagi: Fotodioda Ingaas 32μm 10g to46, Chiny Fotodioda Ingaas 32μm 10g to46 producenci, dostawcy, fabryka